C’est une actualité presque inattendue avec tout ce qu’on entend en ce moment sur le marché de la mémoire. Samsung a décidé d’accélérer l’augmentation de sa capacité de production de DRAM. Initialement, Samsung est une des trois entreprises faisant partie de ce que l’on nomme depuis quelques semaines le “cartel” de la DRAM. A l’origine, une nouvelle unité de production baptisée P5 conçue par Samsung Electronics sur le site de Pyeongtaek 2, était programmée pour une mise en service au mieux fin 2027. Mais à la suite de décisions récentes au regard de la forte pénurie actuelle de puces mémoire dans l’électronique et l’IT, ce calendrier pourrait s’être fortement accéléré.
Selon des sources industrielles, Samsung Electronics a lancé un appel d’offres il y a quelques jours pour l’acquisition d’équipements de production de gaz et de produits chimiques destinés à son usine P5 de Pyeongtaek. Ces équipements sont essentiels à la construction des lignes de production. Alors que ces commandes sont généralement passées après la phase de construction du gros œuvre, l’entreprise adopterait cette fois une approche accélérée, en réalisant simultanément la construction du gros œuvre, la commande des équipements et leur mise en service afin d’accélérer le début de la production dans ces nouvelles unités. Mais Samsung accélère aussi sur d’autres lignes de production. L’expansion, planifiée de longue date de la ligne P4 est aussi concernée par ce sprint. Il a été récemment annoncé que l’installation des équipements et les phases de test de l’usine P4 ont été avancées de deux à trois mois par rapport au calendrier initial. Cette ligne doit délivrer des puces pour la mémoire HBM4 de 6e génération, le segment le plus concurrentiel du marché de la mémoire pour l’IA l’année prochaine.
Une source interne à Samsung décrit la situation de la sorte : Cet investissement dans le projet P5 progresse à un rythme sans précédent. Alors que les infrastructures essentielles, telles que les installations gazières et chimiques, sont généralement réalisées après la construction du gros œuvre, il semble qu’un investissement parallèle ait été décidé cette fois-ci. […] Cela témoigne de la volonté de la direction de réagir rapidement aux conditions du marché.
Dans cette histoire il faut bien comprendre que mémoire HBM et mémoire DDR5 sont évidemment différentes mais ont leurs destins liés. La HBM et la DRAM “classique” ne se font pas vraiment concurrence sur le marché. Cependant elles reposent sur les mêmes lignes de production, les mêmes machines et les mêmes wafers de silicium. Quand l’IA consomme l’essentiel des capacités, les PC, les laptops et les consoles en subissent les conséquences. À l’inverse, si la production augmente nettement, le grand public peut de nouveau entrevoir une éclaircie.
