Samsung Electronics et ASML ont officiellement annoncé l’extension de leur partenariat stratégique de longue date. Cette alliance renforcée vise à approfondir la collaboration sur la lithographie EUV à haute ouverture numérique (High NA EUV) ainsi que sur les technologies avancées de fabrication de semi-conducteurs. L’objectif commun est de soutenir l’innovation de la prochaine génération, indispensable pour répondre aux exigences croissantes en matière de performances et d’efficacité à l’ère de l’intelligence artificielle.
Ce nouveau pas dans la coopération s’inscrit dans la continuité d’une décennie de succès partagés. Les deux géants industriels s’engagent désormais à accélérer conjointement le développement et le déploiement des technologies nécessaires. Cette approche vise à répondre aux exigences toujours plus strictes de l’industrie moderne, qui cherche à améliorer la productivité des usines de fabrication tout en maîtrisant les coûts de production des puces les plus complexes.
La transition vers les masques de 12 pouces
Un élément central de cette annonce concerne l’adoption de la technologie des masques de 12 pouces. L’industrie des semi-conducteurs s’est longtemps appuyée sur le format de 6 pouces, mais la transition vers des masques plus grands est désormais attendue. Avec l’introduction de la lithographie High NA EUV, ce changement de format devrait permettre d’augmenter significativement la productivité des usines de fabrication (fabs).
Passer à des masques de 12 pouces offre également l’avantage de réduire les coûts de fabrication des puces et d’éliminer les contraintes de stitching (lorsqu’un élément est plus gros que ce que la machine peut produire, la puce est gravée en plusieurs parties en s’assurant que les raccords soient faits correctement) qui limitaient auparavant les performances. Cette évolution permettra aux fabricants de puces de tirer pleinement parti des avantages offerts par la lithographie High NA EUV, rendant ainsi les générations futures de puces de pointe plus rentables. Samsung, fort de son leadership en mémoire et en fonderie, jouera un rôle essentiel dans cette transition en développant les technologies de masques et les infrastructures de soutien nécessaires.
Intégration de la High NA EUV dans la production de DRAM
Une autre avancée majeure réside dans l’intention de Samsung d’introduire la lithographie High NA EUV d’ASML dans la production de masse future de la mémoire DRAM. Il s’agit d’une première dans l’industrie, prévue pour être opérationnelle d’ici à 2028. Cette décision démontre la maturité de la technologie High NA pour soutenir à la fois les applications mémoire et les applications logiques avancées.
En intégrant cette technologie, Samsung espère étendre la feuille de route de mise à l’échelle (scaling) de la DRAM. L’amélioration de la résolution offerte par la High NA EUV permettra de simplifier les procédés de fabrication et d’augmenter l’efficacité globale. Young Hyun Jun, dirigeant de Samsung, a souligné que l’ère de l’IA transforme l’industrie et que des partenariats solides sont essentiels pour maintenir le leadership technologique.
De son côté, Christophe Fouquet d’ASML a rappelé que Samsung est l’un de ses partenaires d’innovation les plus importants. Les deux entreprises s’engagent à explorer en permanence de nouvelles possibilités de collaboration, notamment dans les domaines de la mémoire avancée et des approches de fabrication innovantes, pour préparer le terrain à la prochaine vague d’innovation dans les semi-conducteurs.
