La mémoire PoX, ou Phase-change Oxide, développée par l’Université de Fudan en Chine, serait, si les annonces se vérifient, une prouesse technologique qui pourrait secouer les positions en matière d’IA. Elle atteint une vitesse d’écriture de 400 picosecondes, soit 25 milliards d’opérations par seconde. Cette mémoire flash, non volatile, conserve les données sans alimentation, contrairement aux SRAM ou DRAM. Elle surpasse les mémoires NAND classiques, bien plus lentes. La mémoire PoX est pour le moment au stade de prototype et il faut garder à l’esprit que les prouesses annoncées ne sont pour le moment pas confirmées par des autorités indépendantes. Ce type de mémoire confirme cependant que la Chine travaille d’arrache pied pour se construire une autonomie technologique face aux restrictions américaines et ne pas se laisser distancer dans la course sur l’IA.
PoX : la promesse d’une mémoire 10 000 fois plus rapide qu’aujourd’hui ?
Car son développement a clairement été pensé pour les systèmes d’intelligence artificielle. Cette technologie permet d’éliminer les goulots d’étranglement liés au transfert de données. Deux autres caractéristiques annoncées sont en rupture avec ce qui se fait actuellement. La PoX utiliserait le graphène de Dirac et surtout sa consommation électrique serait faible, une caractéristique idéale au regard de l’envolée des consommation des infrastructures dédiées à l’IA. Mais cette innovation dispose d’un territoire d’application plus vaste que l’IA. Son potentiel s’étend en effets aux appareils du quotidien tels que les téléphones portables et les ordinateurs portables, qui pourraient bénéficier d’un gain considérable de vitesse mais aussi d’une technologie pouvant encore augmenter leur autonomie.
Au sein de l’Université de Fudan, on explique que cette innovation est le fruit de combinaison de plusieurs méthodologies…Et notamment l’utilisation de l’intelligence artificielle. Ainsi, les chercheurs ont remplacé les canaux de silicium classiques par du graphène bidimensionnel , ce qui a permis une conduction de charge plus rapide que jamais auparavant. Cette astuce physique, combinée à une technique appelée superinjection bidimensionnelle, a permis d’atteindre des vitesses aussi extrêmement rapides tout en conservant la persistance des données.
Pour le moment, l’équipe de recherche n’a pas encore fourni de détails sur la durabilité de la puce ou la capacité de transposer ce prototype dans un produit capable d’être produit en masse. Si cette avancée venait à se confirmer, cela pourrait bouleverser le marché de l’IA mais aussi des autres produits techs.
