Récemment, Micron annonçait le début de la production de masse de sa mémoire GDDR6. Avec SK Hynix et Samsung, c’est donc le troisième acteur majeur du marché à se lancer dans l’aventure !
La GDDR6 de Micro produite en masse !
Ainsi donc, Micron lance la production de masse de sa mémoire GDDR6. Le producteur indique lancer des puces de 1 Go fonctionnant à 16 Gb/s. Comme nous le voyions hier, le constructeur liste aussi de la VRAM cadencée à 12 Gbps et 14 Gbps. Côté voltage, on sait que les puces 12 Gbps seront à 1.25V et les 14 Gbps à 1.35V contre 1.5V pour la GDDR5 à 8 Gbps.
On apprend également que le constructeur commence à fournir les fabricants de puces. Exemple probant, le PCB de carte Turing que nous découvrions ensemble pas plus tard qu’hier.
Avec cette nouvelle mémoire, on s’attend à de grosses performances. Pour se faire une idée, la Titan Xp équipée de GDDR5X en 384 bits atteints les 547.6 Go/s de bande passante. En passant sur de la GDDR6 à 14 Gbps, la bande passante passe à 672 Go/s. Enfin, contrairement à la HBM, la GDDR reste plus simple à implanter, à produire et est donc disponible en plus grand volume.
Très clairement, on s’attend à voir cette mémoire équiper les GPU nVidia de prochaine génération.
