L'overclocking de notre kit mémoire :
Pour l’overclocking de la mémoire, il y a 5 tensions clés. Il s’agit des tensions qui auront un impact sur l’overclocking et donc sur la montée en fréquence ou le serrage des timings. Il s’agit du SOC Voltage, du DRAM VVD Voltage, du DRAM VVDQ Voltage, du CPU VDDIO/MC Voltage ainsi que du Vddp Voltage. Voici où ces tensions se trouvent dans le BIOS de notre ROG Crosshair X870E APEX.
Attention, en fonction du type de puces mémoires (Micron, Hynix et Samsung), l’équilibre entre ces différentes tensions est différent. Si votre module PMIC n’est pas verrouillé, en activant « High DRAM Voltage Mode », vous aurez accès aux tensions allant jusqu’à 2.00 volt. C’est parti pour l’overclocking de cette DDR5 de chez G.SKILL.
Les différents profils EXPO du BIOS :
Nous avons testé les trois profils EXPO présents dans le BIOS ainsi que le fait de ne rien modifier dans le BIOS, c’est-à-dire, laisser tous les paramètres en mode AUTO. Comme vous pouvez le constater, il est important d’activer le profil EXPO, au risque d’avoir des performances désastreuses.
Comme on peut le constater, les modifications sont assez sommaires et basées sur les timings secondaires ou tertiaires. L’impact sur les performances est très réduit et n’apporte aucun gain. Vous pouvez donc simplement activer le profil EXPO 1.
Les profils mémoires au sein du BIOS :
Comme il fallait s’en douter, aucun profil n’est disponible pour des kits en 2 x 64 GB. Nous avons toujours tenté d’appliquer celui proposant le support des puces Samsung à 6400 Mt/s pour du 2 x 32 GB.
En ce qui concerne l’overclocking, nous ne sommes parvenus à rien obtenir d’intéressant malheureusement. Le profil à 6400 MT/s ne fonctionne pas, et dès que nous réalisons quelques modifications, tout se solde par un échec au démarrage. Nous avions testé l’utilisation de DIMM Fit, mais après huit heures d’exécution, celui-ci n’avait toujours pas terminé la recherche d’une optimisation de notre kit mémoire.
