Le secteur de la mémoire haute bande passante traverse une période de transformation majeure, marquée par l’émergence de nouvelles architectures destinées à répondre aux exigences croissantes de l’intelligence artificielle. Dans ce contexte, SK Hynix, l’un des principaux acteurs mondiaux de la mémoire, semble prêt à modifier sa stratégie de fabrication pour ses futures générations de modules HBM. Selon des informations rapportées par le Herald sud-coréen, la firme coréenne envisage sérieusement d’associer Intel Foundry à son processus de production, rompant ainsi avec une dépendance exclusive à TSMC pour la fabrication des puces de base.
Intel & SK Hynix vers une collaboration pour la HBM4E ?
Jusqu’à présent, SK hynix confiait exclusivement la fabrication de ses puces de base à TSMC. La nouvelle génération HBM4E introduit cependant une évolution significative : la possibilité d’intégrer une logique personnalisée directement sur la puce de base. Cette logique peut inclure des contrôleurs de mémoire et des PHYs, éléments qui étaient auparavant placés sur la puce de calcul principale. En déportant ces composants sur la puce de base, les concepteurs d’accélérateurs IA gagnent de la surface précieuse pour ajouter des unités de traitement, tout en réduisant la latence et en améliorant les performances globales.
Pour réaliser ce transfert de design, SK Hynix pourrait envoyer les spécifications à Intel, qui produirait ensuite les puces de base avant de les retourner au fabricant de mémoire. Ce dernier procéderait ensuite à l’empilement des puces DRAM par-dessus. Cette méthode de collaboration nécessite toutefois de déterminer quel nœud de fabrication Intel sera utilisé, car les exigences techniques sont plus élevées que pour les générations précédentes.
Le choix du nœud de fabrication : entre performance et rentabilité
Historiquement, SK Hynix utilisait ses propres nœuds de fabrication pour les puces de base, mais ceux-ci, classés autour de 10 nm, ne suffisent plus pour les besoins actuels. Pour la génération HBM4, le constructeur a déjà recours au nœud de 12 nm de TSMC. La version HBM4E demandera une technologie encore plus avancée. Les options envisagées par les analystes incluent les nœuds Intel 10, 4, 3 ou encore le nœud 18A et ses variantes.
Néanmoins, une contrainte économique pèse sur cette décision. Compte tenu de la chaîne d’approvisionnement complexe et du coût déjà élevé des modules HBM, l’utilisation d’un nœud plus mature comme Intel 3 ou Intel 4 pourrait s’avérer plus judicieuse financièrement. Quel que soit le choix final, cette évolution constitue un signe positif pour Intel Foundry, démontrant sa capacité à s’impliquer dans des projets de haute complexité et à fournir des solutions compétitives face aux leaders du marché.
Il est également intéressant de noter que des validations techniques ont déjà eu lieu. Lors de l’événement Hot Chips 2026, il a été confirmé que SK Hynix avait validé ses designs pour fonctionner avec la technologie EMIB-T d’Intel. Les connexions TSV (Through-Silicon Via) devraient permettre une distribution verticale de l’alimentation électrique à travers les puces empilées, soutenant ainsi la vision de SK Hynix pour les modules de mémoire 3D. Cette avancée technique renforce la crédibilité de la proposition de partenariat entre le géant de la mémoire et le bras de fabrication d’Intel.