Vidéo OCC
ARM et TSMC ont révélé quelques éléments concernant la gravure de processeurs en 10 nm FinFET.
Les deux entreprises ont décidé de travailler ensemble sur le développement de cette nouvelle finesse de gravure . En conséquence, les premiers essais (risk production) sont attendus pour la fin 2015. En général, la production de masse est lancée un an après la risk production.
Face au 16 nm, TSMC annonce que le 10 nm FinFET permettrait :
- une cadence plus élevée de 25%
- une efficience énergétique supérieure de 45%
- une densité de gravure 2,2 fois plus élevée
10nm … on commence à pouvoir compter les atomes entre les transistors sur les doigts des 2 mains 🙂
Pas mal 25% , mais vivement le graphène quand même avec des proc a pas loins 400ghz