Intel a officiellement franchi une étape historique dans la fabrication de semi-conducteurs. La division Intel Foundry a confirmé avoir traité un million de wafers de 300 mm en utilisant la lithographie à ultraviolets extrêmes (EUV) à ouverture numérique élevée (High-NA). Cette réalisation, annoncée par l’entreprise, valide la maturité industrielle de cette technologie de pointe, longtemps considérée comme le prochain grand saut pour la miniaturisation des puces.
Le déploiement de la High-NA EUV n’a pas été immédiat. Initialement, Intel a installé des systèmes TWINSCAN EXE:5000 d’ASML en 2024, principalement pour la recherche et les tests liés au nœud 14A. Cependant, l’approche d’Intel a évolué. L’entreprise a découvert que ces outils pouvaient être exploités bien au-delà de leur usage initial, étendant leur application au nœud 18A, une gamme qui était auparavant réservée exclusivement aux procédés 14A. Cette flexibilité démontre une maîtrise technique supérieure face aux défis de complexité inhérents à cette nouvelle génération de lithographie.
Une adoption stratégique pour les produits Panther Lake
Concrètement, cette capacité se traduit par des changements dans la production de certains modèles. Pour un sous-ensemble sélectif de références « Panther Lake », Intel procède désormais à la gravure de plusieurs couches de silicium en utilisant l’exposition High-NA, plutôt que de dépendre uniquement de la technologie Low-NA. Cette méthode permet de simplifier considérablement le processus de fabrication.
Les bénéfices sont tangibles sur le plan opérationnel. Intel a rapporté avoir traité plus de 30 000 wafers en un seul trimestre grâce à cette optimisation. En réduisant le nombre d’étapes nécessaires pour une couche spécifique de plus de 40 à moins de 10, les temps de cycle de production sont nettement accélérés. De plus, cette infrastructure n’est pas réservée à l’usage interne ; Intel met désormais cette configuration à disposition de clients externes, reconnaissant le potentiel de valeur que représente cette technologie pour l’industrie.
Un avantage concurrentiel significatif
À l’heure actuelle, Intel demeure le seul acteur industriel à fabriquer activement du silicium en utilisant la lithographie EUV High-NA. Cette situation contraste avec les stratégies de ses principaux concurrents. TSMC affirme pouvoir maintenir son avantage concurrentiel en continuant à utiliser la technologie EUV Low-NA existante, en l’améliorant et en réduisant les nœuds de génération en génération.
De son côté, Samsung Foundry reporte l’introduction de la High-NA EUV jusqu’en 2030 pour son nœud 1 nm. Cela signifie que l’industrie entière ne basculera pas vers cette nouvelle norme dans les années à venir. Le coût est également un facteur déterminant : les outils Low-NA coûtent environ la moitié du prix des systèmes High-NA de premier plan. La machine la plus avancée d’ASML, le TWINSCAN EXE:5200B (prévoyez un grand garage pour la stocker et changez de forfait EDF pour l’alimenter) utilisé pour les tests d’acceptation du nœud 14A, représente un investissement colossal d’environ 400 millions de dollars. Malgré ces défis financiers et techniques, l’atteinte du million de wafers confirme que la voie est ouverte pour une production de masse.